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Transistors

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​1) Présentation :

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On distingue 2 types de transistors : Les NPN et les PNP

On distingue 3 électrodes : Emetteur (E), Base (B) et Collecteur (C).
De plus, la flèche indique le sens du courant d’émetteur Ie

Grandeurs caractéristiques => Tensions : Vbe, Vce
Courants : Ie=Ic+Ib

2) Caractéristiques d’un transistor bipolaire :

2)1. Caractéristique d'entrée IB = f(VBE) :

Condition à poser pour un NPN :

T reste bloqué tant que VBE < 0,7 V

Choses à retenir : IC = β x IB avec β typique = 100 => Régime linéaire
IC  ≠ β x IB et    VCE ≈ 0V => régime de saturation

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Résumé du fonctionnement d’un transistor NPN

 

2 états possibles :

  1. transistor bloqué  è IB = IC = IE = 0A
    transistor passant è courants non nuls

 

   2. Transistor passant -> 2 modes de fonctionnements possibles :
      -régime linéaire
      -régime de saturation

3) Détermination de l’état et du régime de fonctionnement d’un transistor bipolaire :

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3)1. Méthode :

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  1. Repérer le type de transistor et les 3 électrodes

  2. Flécher les courants et tensions

  3. Déterminer l’état du transistor en fonction de la tension d’entrée du montage

 

 

Étude de l’état du transistor NPN :

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Hypothèse de départ : Transistor bloqué -> Ib = 0A           
Transistor bloqué tant que Vbe<0.7V      [1]


Calcul de Vbe en fonction de la tension d’entrée              [2]

 

->écriture de la maille d’entrée

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Conclusion : en combinant  1 et 2 : on détermine l’état du transistor en fonction de la tension d’entrée

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Si le Transistor est passant, détermination du régime de fonctionnement

Transistor passant -> Vbe = 0.7V


Calcul de Ib : écriture de la maille d’entrée
Calcul de Icsat : écriture de la maille de sortie et poser Vce=Vcesat

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On compare les valeurs numériques de Ib et Icsat :


Si Ib > Icsat/β alors le transistor est saturé
Si Ib < Icsat/β alors le transistor est en régime linéaire

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3)2. Mise en oeuvre

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Première chose à faire : Repérer le type de transistor ainsi que les 3 électrodes

 

Ensuite, on flèche les courants et tensions de ce schéma

On applique alors la méthode vu précédemment :


Hypothèse de départ : Transistor bloqué -> Ib = 0A
Transistor reste bloqué tant que Vbe<0.7V

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On calcul Vbe :

  • Ecriture de le maille d’entrée  -> Vbb - Rb x iB –Vbe = 0
    or Ib=0 donc Vbe=VBB
    Soit, le transistor reste bloqué tant que VBB < 0.7V

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Conclusion :
VBB = 0V : Transistor bloqué, soit, Ib = 0 et Ic = 0 et Vce = VCC
VBB = 4V : Transistor passant avec Vbe = 0.7V

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On étudie alors la partie où le transistor est passant donc pour VBB = 4V

On donne Vcc = 5V ; Rc = 1kΩ ; Vcesat = 0V ; β = 100

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  • Calcul d’Icsat

Vcc - Rc x Ic - Vce = 0 avec Vcesat = 0

  • Calcul d’Ib

Vbb-Rb.iB-Vbe=0 avec Vbe=0.7V

1er cas : Rb = 33kΩ ; Ib = 100µA

Transistor en régime saturé
Ic = Icsat = 5mA et Vce = Vcesat = 0V
Coefficient de saturation (autrement appelé « k ») =

VBB=0V -> Transisot bloqué -> interrupteur ouvert
VBB=4V -> Transistor saturé -> interrupteur fermé

 

Transistor <-> interrupteur

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2e cas : Rb=100kΩ ; Ib=33µA

 Transistor en régime linéaire :

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Ic = β x Ib = 3.3mA
Vce = Vcc - Rc x Ic = 1.7V      Vce > 0 donc ok pour un NPN

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Résumé des propriétés essentielles du transistor :

L'arbre de fonctionnement du transistor bipolaire

Christine Marguet- Dominique LIGOT

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